Определение параметров поликристаллических наноразмерных материалов по уширению дифракционных отражений

УДК:  543.271:621.382

Автор статьи:  Ботвин В.А.

Соавторы:  Мить К.А., Грицкова Е.В., Мухамедшина Д.М.

Место работы автора:  Физико-технический институт МОН РК

Название журнала:  Вестник Казахского Национального технического университета им. К. Сатпаева

Год выпуска:  2010

Номер журнала:  1(77)

Страницы:  с.154-157

Ключевые слова:  average particle size, stress, x-ray diffraction

Резюме на казахском языке:  Дифракциялық шағылуды кенейту туралы металлтотықты жартылай өткізгіштердің ұнтақтарында және наноөлшемдік қабықшаларда микрокенеулерді (?) және кристаллиттердің (D) орта өлшемін анықтаудың тәртібі сипатталған.Золь- гель әдісімен синтезделген мырыш тотығың жұқа қабықшасы үшін D және ?-ні есептеудің мысалы келтірілген.

Резюме на английском языке:  The procedure of estimation the average particle size (D) and stress (?) in nanostructural films and powders met-al-oxide semiconductors upon a broadening in the x-ray diffraction lines is described.The example of calculation D and ? for the zinc oxide thin film and for the zinc sulfide powder, synthesized by the sol-gel method, is resulted.

Список литературы:  
1. Курлов, Гусев А.И. Определение размера частиц, микронапряжений и степени негомогенности в наноструктурированных веществах методом рентгеновской дифракции // Физика и химия стекла. 2007. Том 33. №3. С. 383-392.
2. Горелик С.С., Скаков Ю.А., Расторгуев Л.Н. Рентгенографический и электронно-оптический анализ: Москва: МИСиС, 1994.
3. Гусев А.И., Рампель А.А. Нанокристаллические материалы, Москва: Физматлит, 2000, 224 с.
4. Гусев А.И. Нанокристаллические материалы: методы получения и свойства, Екатеринбург: УроРАН, 1998, 199 с.
5. Рампель А.А., Гусев А.И. Получение и оценка гомогенности сильно нестехиометрических неупорядо-ченных и упорядоченных карбидов // ФТТ, 2000, т42, в7, с.1243-1249
6. Румянцева М.Н., Булова М.Н., Чареев Д.А., Рябова Л.И., Акимов Б.А., Архангельский И.В., Гаськов А.М. Синтез и исследование нанокомпозитов на основе полупроводниковых оксидов SnO2 и WO3 // Вестник московского университета серия 2 химия 2001 т42 в5 с 348 – 355.
7. Particle Size and Strain Analysis by X-Ray Duffraction, H&M Analytical Services, Inc.2002.http://www.h-and in analytical.Com/pdfs/size_strain.pdf
8. Коршунов А.Б.// Аналитический метод определения параметров тонкой кристаллической структуры по уширению рентгеновских линий.Заводская лаборатория.2004.№2. с.27-32.
9. Gritskova E.V., Mukhamedshina D.M., Mit' K.A., Dolya N.A., Kh.A.Abdullin.The structure, photolumines-cence, optical and magnetic properties of ZnO films doped with ferromagnetic impurities // Physica B: Condensed Matter.- 2009.- Vol.404 - Р.4816-4819.

Электронный вариант:  скачать



 


Последние Новости

  • 28.11.2012

    Казахстанская общенациональная пробная подписка на IEEE/IET

  • 20.12.2011

    В шаге от цели «Smart»

  • 20.12.2011

    Инновационный прорыв региона

Форма Авторизации

ВойтиВойти
  • Забыли пароль?